怎么判斷EDI水凈化設(shè)備是不是遭到污染？

EDI水凈化設(shè)備的原理。

EDI是一種融合離子交換法技術(shù)性、質(zhì)子交換膜技術(shù)性和正離子電轉(zhuǎn)移技術(shù)性（電滲析法技術(shù)性）的純凈水生產(chǎn)技術(shù)。該技術(shù)性運(yùn)用離子交換法深層除鹽來(lái)擺脫電滲析法極化和不完全除鹽，并運(yùn)用電滲析法極化造成水電離生產(chǎn)制造H+和OH-。這種正離子持續(xù)再造離子交換柱，以維持離子交換柱的良好情況。

EDI膜堆關(guān)鍵由陽(yáng)陰質(zhì)子交換膜、濃水室、陽(yáng)陰質(zhì)子交換膜、談水室和正負(fù)電極構(gòu)成。離子交換柱夾在陽(yáng)陰質(zhì)子交換膜中間互換膜中間，產(chǎn)生單獨(dú)控制部件，產(chǎn)生談水室，模塊與單元分隔，產(chǎn)生濃水室。在直流電源場(chǎng)的效果下，談水室離子交換柱中的正離子和陽(yáng)離子沿環(huán)氧樹(shù)脂和膜構(gòu)成的安全通道轉(zhuǎn)移到負(fù)級(jí)和正級(jí)。正離子根據(jù)陽(yáng)質(zhì)子交換膜，陽(yáng)離子根據(jù)陰質(zhì)子交換膜進(jìn)到濃水室產(chǎn)生濃水。

與此同時(shí)，EDI進(jìn)水里的正離子和陽(yáng)離子與離子交換柱的氫氧根離子和氫氧根離子互換，產(chǎn)生超純水系統(tǒng)（超純水）。超極限電流量使水電解造成的很多氫氧根離子和氫氧根離子再造離子交換柱。

在傳統(tǒng)式的離子交換法中，離子交換柱飽和狀態(tài)后需要間歇性有機(jī)化學(xué)再造。EDI膜堆中的環(huán)氧樹(shù)脂根據(jù)水電解持續(xù)再造，工作中時(shí)不用強(qiáng)酸強(qiáng)堿有機(jī)化學(xué)再造。

EDI水凈化設(shè)備。

盡管EDI組件的滲水標(biāo)準(zhǔn)大幅度降低了控制模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)阻塞的機(jī)遇，但伴隨著水凈化設(shè)備運(yùn)作時(shí)長(zhǎng)的增加，EDI控制模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)水路仍很有可能阻塞，根本原因是EDI進(jìn)水里物質(zhì)的量濃度較多，在濃水室產(chǎn)生除鹽沉積。假如進(jìn)水里帶有很多帶有很多的鎂離子（強(qiáng)度超出0.8ppm）。co2和高pH值用加快沉積。在這樣的情況下，我們可以根據(jù)化學(xué)水處理來(lái)清理EDI控制模塊，以修復(fù)原先的工藝特點(diǎn)。

一、通?？梢詮南铝幸恍用娣直鍱DI控制模塊被污染阻塞：

1.在滲水溫度和總流量不會(huì)改變的情形下，濃水滲水側(cè)與產(chǎn)水側(cè)的壓力差比原始記錄高45%。

2.在滲水溫度與濃水排水管道側(cè)的壓力差比原始記錄高45%。

3.在滲水溫度、總流量和導(dǎo)電率不會(huì)改變的情形下，產(chǎn)水量水體(電阻)顯著降低。

4.在滲水溫度和總流量不會(huì)改變的情形下，濃水排放量降低35%。

2.控制模塊阻塞的首要因素如下所示：

1.顆粒物/膠體溶液污堵。

2.無(wú)機(jī)化合物污堵。

3.有機(jī)化合物污堵。

4.微生物菌種污染。

3.EDI清理留意:

在清理或消毒殺菌前，挑選適宜的化合物，了解安全操作規(guī)程標(biāo)準(zhǔn)，不可在部件開(kāi)關(guān)電源不斷開(kāi)的情形下開(kāi)展化學(xué)水處理。